Характеристики

IXTH13N80 — MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: MegaMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 800V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-247AD
Архив документации
Возможные аналогиSTW12NK80Z, STW10NK80Z, IRFPE50, BFC44   Вся информация »

Поставщики «IXTH13N80»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdIXTH13N80 (Подробнее)Littelfuse12.25$177
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IXTH13N80 (MOSFET N-CH 800V 13A TO247 Подробнее)IXYS–140412
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!IXTH13N80 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–30253
Стандарт СИЗСвежие данные!IXTH13N80 (ST-STW10NK80Z) (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)STM–Да
ООО "Интегральные схемы"IXTH13N80––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"IXTH13N80A––от 7 дней
Icseek Global LimitedIXTH13N80 (Оригинальный и наличный и новый)IXYS–8643
ООО "Интегральные схемы"IXTH13N80MOSFET––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IXTH13N80––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IXTH13N80A––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IXTH13N80MOSFET––от 7 дней
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!IXTH13N80 (yпаковка: TO247; год: 22+)IXYS–45000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!IXTH13N80A (yпаковка: TO247; год: 22+)IXYS–45000