Характеристики

IXTH75N10 — MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: MegaMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-247AD
Архив документации
Возможные аналогиIRFP3710   Вся информация »

Поставщики «IXTH75N10»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
IXTH75N10 (Подробнее)Littelfuse11.681$35000
IXTH75N10L2 (Подробнее)Littelfuse16.55$1
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IXTH75N10 (Оригинальный и наличный и новый)IXYS8643
IXTH75N10L2 (Оригинальный и наличный и новый)IXYS8643
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
IXTH75N10IXYS1385
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IXTH75N10 (yпаковка: TO247; год: 22+)IXYS45000
IXTH75N10L2 (yпаковка: TO247; год: 22+)IXYS45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IXTH75N10 (MOSFET N-CH 100V 75A TO247 Подробнее)IXYS156977
IXTH75N10L2 (MOSFET N-CH 100V 75A TO247 Подробнее)IXYS155882
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IXTH75N10 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS30408
IXTH75N10L2 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS30249
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
IXTH75N10 (22+; год: 1004)IXYS247$
РИВ Электроникс, Москва
(495) 7758427, Факс: (495) 7758427, riv@riv-e.ru
IXTH75N10L2 (TO-247 (IXTH) Транзисторы Минимум 1шт. Подробнее)IXYS1236 р. | м. опт: 1174 р. | опт: 1127 р.4
АВЭЛКОМ СПБ, Санкт-Петербург
(812) 336-54-84, (812)716-06-22, (812)972-22-01, info@avelcom.com
IXTH75N10L2 (TO-247 (IXTH); от 1 шт.)IXYS1357.05 р. | м. опт: 1315.66 р. | опт: 1200.51 р.Срок 7 дней, 4
Дельта Электроника, Москва
(495) 660-36-02, Факс: (495) 660-36-02, popov@radel.ru
IXTH75N10L2 (MOSFET-транзистор линейный (расширенная зона FBSOA), n-канальный в корпусе TO-247AD. Технология LinearL2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 75А. Сопротивление канала - менее 0,021 Ом. Входная емкость: 8100 pF, заряд затвора: 215 n)862.32 р.6-8 недель
IXTH75N10L (MOSFET-транзистор линейный (расширенная зона FBSOA), n-канальный в корпусе TO-247AD. Технология LinearL2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 75А. Сопротивление канала - менее 0,021 Ом. Входная емкость: 8100 pF, заряд затвора: 215 n)981.26 р.6-8 недель
IXTH75N10L2 (MOSFET-транзистор линейный (расширенная зона FBSOA), n-канальный в корпусе TO-247AD. Технология LinearL2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 75А. Сопротивление канала - менее 0,021 Ом. Входная емкость: 8100 pF, заряд затвора: 215 n)981.26 р.6-8 недель
IXTH75N10L2 (MOSFET-транзистор линейный (расширенная зона FBSOA), n-канальный в корпусе TO-247AD. Технология LinearL2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 75А. Сопротивление канала - менее 0,021 Ом. Входная емкость: 8100 pF, заряд затвора: 215 n)1213.94 р.4
IXTH75N10L26-8 недель
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IXTH75N10от 7 дней
IXTH75N10L2от 7 дней
IXTH75N10PKG----CALLREот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IXTH75N10от 7 дней
IXTH75N10L2от 7 дней
IXTH75N10PKG----CALLREот 7 дней