Характеристики

IXTK200N10P — MOSFET N-CH 100V 200A TO-264

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: PolarHT™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 800W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-264
Архив документации

Поставщики «IXTK200N10P»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
IXTK200N10P (Подробнее)Littelfuse15.69$35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
IXTK200N10P (Оригинальный и наличный и новый)IXYS–8643
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IXTK200N10P (MOSFET N-CH 100V 200A TO264 Подробнее)IXYS–151388
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IXTK200N10P (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–30273
Дельта Электроника, Москва
(495) 660-36-02, Факс: (495) 660-36-02, popov@radel.ru
IXTK200N10P (MOSFET транзистор; 100В; 200А; 0,0075Ом; корпус ТО-264)–217.36 р.6-8 недель
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IXTK200N10P––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IXTK200N10P––от 7 дней