Характеристики

IXTT36N50P — MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: PolarHV™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 500V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 540W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: TO-268
Архив документации
  • IXTT36N50P - PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
  • 99228.pdf на сайте ixys.com

Поставщики «IXTT36N50P»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDIXTT36N50P (Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268 Подробнее)IXYS10.35$130
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdIXTT36N50P (Подробнее)Littelfuse11.7$35000
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!IXTT36N50P (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–21777
ООО "Интегральные схемы"IXTT36N50P––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IXTT36N50P––от 7 дней
Icseek Global LimitedIXTT36N50P (Оригинальный и наличный и новый)IXYS–8643
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IXTT36N50P (MOSFET N-CH 500V 36A TO268 Подробнее)IXYS–138562