Характеристики | Производитель: Fairchild Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Mold Compound Change 12 dec 2007 • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA • Ток коллектора (макс): 500mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V • Мощность макcимальная: 350mW • Модуляция частот: 125MHz • Тип транзистора: PNP - Darlington • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |