Характеристики

MJE703G — TRANS DARL PNP 4A 80V TO-225

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A  •  Ток коллектора (макс): 4A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V  •  Мощность макcимальная: 40Вт  •  Тип транзистора: PNP - Darlington  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-225-3  •  Встречается под наим.: MJE703G-ND, MJE703GOS
Архив документации

Поставщики «MJE703G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Дельта ЭлектроникаMJE703G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 80В, 4А, 40Вт, TO225AA–437.5 р.6-8 недель
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDMJE703G (TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225 Подробнее)ON Semiconductor1.1101$176
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdMJE703G (Подробнее)onsemi0.83$120
RYX ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!MJE703G (yпаковка: NA)onsemi–21001
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!MJE703G (yпаковка: TO-126; год: 22+)ON/–45000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!MJE703G (yпаковка: TO-126; год: 22+)ON–55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!MJE703G (TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA Подробнее)onsemi–813
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!MJE703G (микросхема интегральная электронная TRANS DARL PNP 4A 80V TO-225 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor–24756
ООО "Интегральные схемы"MJE703G––от 7 дней
АВЭЛКОМ СПБMJE703G (Americas,BOX; от шт.)––Срок 6-8 недель, 500
ООО "АСПЕКТ"MJE703G––от 7 дней
Icseek Global LimitedMJE703G (Оригинальный и наличный и новый)ON–5357