Характеристики

MMBT4356 — TRANSISTOR PNP GP SOT-23

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Mold Compound Change 12 dec 2007  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  •  Ток коллектора (макс): 800mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V  •  Мощность макcимальная: 350mW  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Архив документации

Поставщики «MMBT4356»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!MMBT4356 (yпаковка: TTB23; год: 22+)FAIRCHILD/45000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!MMBT4356 (yпаковка: SOT-23; год: 22+)ON55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!MMBT4356 (TRANS PNP 80V 0.8A SOT-23 Подробнее)onsemi8817
ООО "АСПЕКТ"MMBT4356от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"MMBT4356@1от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"MMBT4356от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"MMBT4356@1от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdMMBT4356 (Подробнее)onsemi35000
Icseek Global LimitedMMBT4356 (Оригинальный и наличный и новый)ON697
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!MMBT4356Fairchild Semiconductor1866