Характеристики

MMDFS6N303R2 — MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Производитель: ON Semiconductor  •  Серия: FETKY™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31.4nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 24V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 2W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)  •  Встречается под наим.: MMDFS6N303R2OS
Архив документации
Возможные аналогиSTS9NF3LL   Вся информация »

Поставщики «MMDFS6N303R2»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!MMDFS6N303R2 (MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC Подробнее)onsemi–158649
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!MMDFS6N303R2 (yпаковка: SOP8; год: 22+)ON–45000
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!MMDFS6N303R2 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor–38379
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdMMDFS6N303R2 (Подробнее)onsemi–35000
Icseek Global LimitedMMDFS6N303R2 (Оригинальный и наличный и новый)ON–2172
ООО "АСПЕКТ"MMDFS6N303R2––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"MMDFS6N303R2––от 7 дней