Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/on/165.gif) Производитель: ON Semiconductor • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA • Ток коллектора (макс): 600mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 100µA, 10mV • Мощность макcимальная: 1.5Вт • Модуляция частот: 300MHz • Тип транзистора: NPN • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |