Характеристики | Производитель: ON Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A • Ток коллектора (макс): 1A • Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V • Мощность макcимальная: 1.5Вт • Модуляция частот: 100MHz • Тип транзистора: NPN • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 • Встречается под наим.: MPS6601RLRAG-ND, MPS6601RLRAGOSTR |