Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/3dmodels/166.gif) Производитель: ON Semiconductor • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA • Ток коллектора (макс): 500mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V • Мощность макcимальная: 625mW • Тип транзистора: PNP - Darlington • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |