Характеристики
MRF21010LR1
— IC MOSFET RF N-CHAN NI-360
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Freescale Semiconductor
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: N-Channel
•
Частота: 2.11GHz
•
Усиление: 13.5dB
•
Номинальное напряжение: 65V
•
Номинал тока: 10µA
•
Ток - тестовый: 100mA
•
Напряжение - тестовое: 28V
•
P1dB: 11Вт
•
Корпус: NI-360
Архив документации
MRF21010LR1
- RF Power Field Effect Transistors
MRF21010.pdf
на сайте freescale.com
Поставщики «MRF21010LR1»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
MRF21010LR1
(22+; год: 1291)
FREESCAL
360$
–
ООО "АН-ЧИП"
MRF21010LR1
(микросхема интегральная электронная IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Freescale Semiconductor
–
14734
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
MRF21010LR1
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
–
35000
ООО "Интегральные схемы"
MRF21010LR1
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
MRF21010LR1_06
–
–
от 7 дней
Icseek Global Limited
MRF21010LR1
(Оригинальный и наличный и новый)
MOTOROLA
–
18119
ООО "АСПЕКТ"
MRF21010LR1
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
MRF21010LR1_06
–
–
от 7 дней
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
MRF21010LR1
(FET RF 65V 2.17GHZ NI-360
Подробнее
)
NXP USA Inc.
–
128445
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
MRF21010LR1
(год: 09+)
FREESCAL
–
291