Характеристики
MRF21030LR3
— IC MOSFET RF N-CHAN NI-400
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Freescale Semiconductor
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: N-Channel
•
Частота: 2.14GHz
•
Усиление: 13dB
•
Номинальное напряжение: 65V
•
Номинал тока: 1µA
•
Ток - тестовый: 250mA
•
Напряжение - тестовое: 28V
•
P1dB: 30Вт
•
Корпус: NI-400
Архив документации
MRF21030LR3
- 2.2 GHz, 30 W, 28V LATERAL N - CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF21030.pdf
на сайте freescale.com
Поставщики «MRF21030LR3»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
MRF21030LR3
(Transistors RF MOSFET 30W 2.2GHZ LDMOS NI400L
Подробнее
)
NXP USA Inc.
44.127$
50
ООО "ЕК-Компонент"
MRF21030LR3
FREESCALE
–
356
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
MRF21030LR3
(год: 22+)
FREESCALE
–
45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
MRF21030LR3
(RF S BAND, N-CHANNEL
Подробнее
)
Freescale Semiconductor
–
128860
ООО "АН-ЧИП"
MRF21030LR3
(микросхема интегральная электронная IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Freescale Semiconductor
–
14743
ООО "АСПЕКТ"
MRF21030LR3
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
MRF21030LR3
–
–
от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
MRF21030LR3
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
–
35000
Icseek Global Limited
MRF21030LR3
(Оригинальный и наличный и новый)
FREESCAL
–
18127