Характеристики

MRF5S21150HSR3 — MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S

Производитель: Freescale Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: N-Channel  •  Частота: 2.11GHz  •  Усиление: 12.5dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 10µA  •  Ток - тестовый: 1.3A  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 33W  •  Корпус: NI-880S
Архив документации

Поставщики «MRF5S21150HSR3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdMRF5S21150HSR3 (Подробнее)NXP Semiconductors–35000
ООО "Интегральные схемы"MRF5S21150HSR3––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"MRF5S21150HSR3––от 7 дней
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!MRF5S21150HSR3 (FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S Подробнее)NXP USA Inc.–129648
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!MRF5S21150HSR3 (микросхема интегральная электронная MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Freescale Semiconductor–14541