Характеристики
MRF6P21190HR6
— MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Freescale Semiconductor
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: N-Channel
•
Частота: 2.11GHz
•
Усиление: 15.5dB
•
Номинальное напряжение: 68V
•
Номинал тока: 10µA
•
Ток - тестовый: 1.9A
•
Напряжение - тестовое: 28V
•
P1dB: 44W
•
Корпус: NI-1230
Архив документации
MRF6P21190HR6
- Rf Power Field Effect Transistor, N-channel Enhancement-mode Lateral Mosfet
MRF6P21190HR6.pdf
на сайте freescale.com
Поставщики «MRF6P21190HR6»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
ООО "АСПЕКТ"
MRF6P21190HR6_06
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
MRF6P21190HR6_06
–
–
от 7 дней
ООО "АН-ЧИП"
MRF6P21190HR6
(микросхема интегральная электронная MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Freescale Semiconductor
–
14561
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
MRF6P21190HR6
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
–
35000
ООО "АСПЕКТ"
MRF6P21190HR6
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
MRF6P21190HR6
–
–
от 7 дней
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
MRF6P21190HR6
(Transistors RF MOSFET Power HV6 44W W/CDMA
Подробнее
)
NXP USA Inc.
65.4379$
2453
Icseek Global Limited
MRF6P21190HR6
(Оригинальный и наличный и новый)
NXP
–
18489
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
MRF6P21190HR6
(FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230
Подробнее
)
NXP USA Inc.
–
128704