Характеристики
MRF6S20010NR1
— MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Freescale Semiconductor
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: N-Channel
•
Частота: 2.17GHz
•
Усиление: 15.5dB
•
Номинальное напряжение: 68V
•
Номинал тока: 10µA
•
Ток - тестовый: 130mA
•
Напряжение - тестовое: 28V
•
P1dB: 10Вт
•
Корпус: TO-270-2
Архив документации
MRF6S20010NR1
- 1600 - 2200 MHz, 10 W, 28V GSM / GSM EDGE SINGLE N - CDMA 2 x W - CDMA LATERAL N - CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF6S20010N.pdf
на сайте freescale.com
Поставщики «MRF6S20010NR1»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
MRF6S20010NR1
(Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R
Подробнее
)
NXP USA Inc.
33.372$
516
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
MRF6S20010NR1
(FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2
Подробнее
)
NXP USA Inc.
–
130943
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
MRF6S20010NR1
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
36.57$
35000
ДЕКТЕЛ ЭЛЕКТРОНИКС
MRF6S20010NR1
(транз: PRF 10W 1600 - 2200МГц, 28V , >15.5dB, >15%, LDMOS, пластик; yпаковка: 1)
NXP
опт: 2472 р.
7
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
MRF6S20010NR1
(yпаковка: TO-270-2; год: 22+)
NXP
–
55000
ООО "АН-ЧИП"
MRF6S20010NR1
(микросхема интегральная электронная MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Freescale Semiconductor
–
13394
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
MRF6S20010NR1
(22+; год: 1007)
FREESCALE
2702$
–
Icseek Global Limited
MRF6S20010NR1
(Оригинальный и наличный и новый)
FREESCALE
–
18547
ООО "АСПЕКТ"
MRF6S20010NR1_09
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
MRF6S20010NR1
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
MRF6S20010NR1_09
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
MRF6S20010NR1
–
–
от 7 дней