Характеристики

MRF6S20010NR1 — MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2

Производитель: Freescale Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: N-Channel  •  Частота: 2.17GHz  •  Усиление: 15.5dB  •  Номинальное напряжение: 68V  •  Номинал тока: 10µA  •  Ток - тестовый: 130mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 10Вт  •  Корпус: TO-270-2
Архив документации
  • MRF6S20010NR1 - 1600 - 2200 MHz, 10 W, 28V GSM / GSM EDGE SINGLE N - CDMA 2 x W - CDMA LATERAL N - CHANNEL RF POWER MOSFETs
  • MRF6S20010N.pdf на сайте freescale.com

Поставщики «MRF6S20010NR1»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDMRF6S20010NR1 (Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R Подробнее)NXP USA Inc.33.372$516
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!MRF6S20010NR1 (FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 Подробнее)NXP USA Inc.130943
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdMRF6S20010NR1 (Подробнее)NXP Semiconductors36.57$35000
ДЕКТЕЛ ЭЛЕКТРОНИКСMRF6S20010NR1 (транз: PRF 10W 1600 - 2200МГц, 28V , >15.5dB, >15%, LDMOS, пластик; yпаковка: 1)NXPопт: 2472 р.7
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!MRF6S20010NR1 (yпаковка: TO-270-2; год: 22+)NXP55000
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!MRF6S20010NR1 (микросхема интегральная электронная MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Freescale Semiconductor13394
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.MRF6S20010NR1 (22+; год: 1007)FREESCALE2702$
Icseek Global LimitedMRF6S20010NR1 (Оригинальный и наличный и новый)FREESCALE18547
ООО "АСПЕКТ"MRF6S20010NR1_09от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"MRF6S20010NR1от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"MRF6S20010NR1_09от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"MRF6S20010NR1от 7 дней