Характеристики

MRF6S21060NBR1 — MOSFET RF N-CH 28V 14W TO272-4

Производитель: Freescale Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: N-Channel  •  Частота: 2.11GHz  •  Усиление: 15.5dB  •  Номинальное напряжение: 68V  •  Номинал тока: 10µA  •  Ток - тестовый: 610mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 14Вт  •  Корпус: TO-272-4
Архив документации
  • MRF6S21060NBR1 - 2110 - 2170 MHz, 14 W AVG., 28V 2 x W - CDMA LATERAL N - CHANNEL RF POWER MOSFETs
  • MRF6S21060NBR1 - RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
  • MRF6S21060N.pdf на сайте freescale.com

Поставщики «MRF6S21060NBR1»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
MRF6S21060NBR1 (Подробнее)NXP Semiconductors–35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
MRF6S21060NBR1 (Оригинальный и наличный и новый)MOTORO–18555
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
MRF6S21060NBR1NXP Semiconductors–1266
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
MRF6S21060NBR1 (FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 Подробнее)NXP USA Inc.–130534
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
MRF6S21060NBR1 (год: 07+)Freescale–143
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
MRF6S21060NBR1 (микросхема интегральная электронная MOSFET RF N-CH 28V 14W TO272-4 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Freescale Semiconductor–14594
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
MRF6S21060NBR1 (22+; год: 1143)Freescale272$–
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
MRF6S21060NBR1––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
MRF6S21060NBR1––от 7 дней