Характеристики
MRF6S9060NR1
— MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Freescale Semiconductor
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: N-Channel
•
Частота: 880MHz
•
Усиление: 21.4dB
•
Номинальное напряжение: 68V
•
Номинал тока: 10µA
•
Ток - тестовый: 450mA
•
Напряжение - тестовое: 28V
•
P1dB: 14Вт
•
Корпус: TO-270-2
Архив документации
MRF6S9060NR1
- RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
MRF6S9060N.pdf
на сайте freescale.com
Поставщики «MRF6S9060NR1»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
MRF6S9060NR1
(FET RF 68V 880MHZ TO-270-2
Подробнее
)
NXP USA Inc.
–
130431
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
MRF6S9060NR1
(yпаковка: TO-270-2; год: 22+)
NXP
–
55000
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
MRF6S9060NR1
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
–
35000
ООО "АН-ЧИП"
MRF6S9060NR1
(микросхема интегральная электронная MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Freescale Semiconductor
–
14624
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
MRF6S9060NR1
(22+; год: 1002)
FREESCALE
2702$
–
ООО "Интегральные схемы"
MRF6S9060NR1
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
MRF6S9060NR1
–
–
от 7 дней