Характеристики
MRF7S16150HSR3
— MOSFET RF N-CH NI-780S
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Freescale Semiconductor
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: N-Channel
•
Частота: 1.6GHz
•
Усиление: 19.7dB
•
Номинальное напряжение: 65V
•
Номинал тока: 10µA
•
Ток - тестовый: 1.5A
•
Напряжение - тестовое: 28V
•
P1dB: 32Вт
•
Корпус: NI-780S
Архив документации
MRF7S16150H.pdf
на сайте freescale.com
Поставщики «MRF7S16150HSR3»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
RYX ELECTRONIC LIMITED
MRF7S16150HSR3
(yпаковка: NA; год: 10+)
NXP Semiconductors
–
2
ООО "АН-ЧИП"
MRF7S16150HSR3
(микросхема интегральная электронная MOSFET RF N-CH NI-780S 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Freescale Semiconductor
–
14079
Icseek Global Limited
MRF7S16150HSR3
(Оригинальный и наличный и новый)
NXP
–
18696
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
MRF7S16150HSR3
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
–
35000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
MRF7S16150HSR3
(RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
Подробнее
)
Freescale Semiconductor
–
128136
ООО "Интегральные схемы"
MRF7S16150HSR3
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
MRF7S16150HSR3
–
–
от 7 дней