Характеристики

MRF7S21110HSR5 — MOSFET RF N-CH 33W NI-780S

Производитель: Freescale Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: N-Channel  •  Частота: 2.11GHz  •  Усиление: 17.3dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 10µA  •  Ток - тестовый: 1.1A  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 33W  •  Корпус: NI-780S
Архив документации

Поставщики «MRF7S21110HSR5»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!MRF7S21110HSR5 (FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S Подробнее)NXP USA Inc.–131768
Icseek Global LimitedMRF7S21110HSR5 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–18738
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdMRF7S21110HSR5 (Подробнее)NXP Semiconductors–35000
ООО "Интегральные схемы"MRF7S21110HSR5––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"MRF7S21110HSR5––от 7 дней
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!MRF7S21110HSR5 (микросхема интегральная электронная MOSFET RF N-CH 33W NI-780S 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Freescale Semiconductor–14794