Характеристики
MRF7S21150HR3
— MOSFET RF N-CH 44W NI-780
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Freescale Semiconductor
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: N-Channel
•
Частота: 2.11GHz
•
Усиление: 17.5dB
•
Номинальное напряжение: 65V
•
Номинал тока: 10µA
•
Ток - тестовый: 1.35A
•
Напряжение - тестовое: 28V
•
P1dB: 44W
•
Корпус: NI-780
Архив документации
MRF7S21150H.pdf
на сайте freescale.com
Поставщики «MRF7S21150HR3»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
ООО "АН-ЧИП"
MRF7S21150HR3
(микросхема интегральная электронная MOSFET RF N-CH 44W NI-780 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Freescale Semiconductor
–
14795
Icseek Global Limited
MRF7S21150HR3
(Оригинальный и наличный и новый)
NXP
–
18739
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
MRF7S21150HR3
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
–
35000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
MRF7S21150HR3
(yпаковка: SOT957A; год: 22+)
NXP
–
55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
MRF7S21150HR3
(FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
Подробнее
)
NXP USA Inc.
–
129783
ООО "Интегральные схемы"
MRF7S21150HR3
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
MRF7S21150HR3_09
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
MRF7S21150HR3
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
MRF7S21150HR3_09
–
–
от 7 дней