Характеристики
MRF8S18120HSR3
— MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Freescale Semiconductor
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: N-Channel
•
Частота: 1.81GHz
•
Усиление: 18.2dB
•
Номинальное напряжение: 65V
•
Номинал тока: 10µA
•
Ток - тестовый: 800mA
•
Напряжение - тестовое: 28V
•
Корпус: NI-780S
Поставщики «MRF8S18120HSR3»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
MRF8S18120HSR3
(Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R
Подробнее
)
NXP USA Inc.
97.713$
2940
ООО "АСПЕКТ"
MRF8S18120HSR3
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
MRF8S18120HSR3
–
–
от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
MRF8S18120HSR3
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
100.21$
2750
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
MRF8S18120HSR3
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
–
35000
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
MRF8S18120HSR3
(22+; год: 1099)
NXP
–
–
ООО "АН-ЧИП"
MRF8S18120HSR3
(микросхема интегральная электронная MOSFET RF N-CH 120W NI-780S 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Freescale Semiconductor
–
13417
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
MRF8S18120HSR3
(FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S
Подробнее
)
NXP USA Inc.
–
129219
ООО "ЕК-Компонент"
MRF8S18120HSR3
NXP
–
316
RYX ELECTRONIC LIMITED
MRF8S18120HSR3
(yпаковка: NA; год: 20+)
NXP Semiconductors
–
9010
Icseek Global Limited
MRF8S18120HSR3
(Оригинальный и наличный и новый)
FREESCALE
–
18876
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
MRF8S18120HSR3,128
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
1$
35000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
MRF8S18120HSR3,128
(RF L BAND, N-CHANNEL
Подробнее
)
NXP USA Inc.
–
170270