Характеристики

MRFE6P3300HR3 — MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3

Производитель: Freescale Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: N-Channel  •  Частота: 857MHz  •  Усиление: 20.4dB  •  Номинальное напряжение: 66V  •  Номинал тока: 10µA  •  Ток - тестовый: 1.6A  •  Напряжение - тестовое: 32V  •  P1dB: 270Вт  •  Корпус: NI-860C3
Архив документации

Поставщики «MRFE6P3300HR3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!MRFE6P3300HR3,128 (RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUEN Подробнее)NXP USA Inc.4397
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!MRFE6P3300HR3 (RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUEN Подробнее)NXP USA Inc.128849
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdMRFE6P3300HR3,128 (Подробнее)NXP Semiconductors1$35000
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdMRFE6P3300HR3 (Подробнее)NXP Semiconductors369.06$35000
RYX ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!MRFE6P3300HR3 (yпаковка: NA; год: 20+)NXP Semiconductors9385
RYX ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!MRFE6P3300HR3 (yпаковка: NA; год: 20+)NXP Semiconductors9385
Icseek Global LimitedMRFE6P3300HR3 (Оригинальный и наличный и новый)NXP19056
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!MRFE6P3300HR3NXP316
Icseek Global LimitedMRFE6P3300HR3128 (Оригинальный и наличный и новый)NEXPERIA19057
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!MRFE6P3300HR3 (микросхема интегральная электронная MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Freescale Semiconductor14127
Turshehing Electronic Technology(HK)LimitedMRFE6P3300HR3 ALTERA
ООО "Интегральные схемы"MRFE6P3300HR3_09от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"MRFE6P3300HR3от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"MRFE6P3300HR3_09от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"MRFE6P3300HR3от 7 дней
Дельта ЭлектроникаMRFE6P3300HR31109.75 р.6-8 недель