Характеристики

MUN2231T1G — TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  •  Мощность макcимальная: 338mW  •  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Архив документации

Поставщики «MUN2231T1G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!MUN2231T1G (Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN Подробнее)ON Semiconductor0.162$16706
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!MUN2231T1G (микросхема интегральная электронная TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor34074
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdMUN2231T1G (Подробнее)onsemi0.0257$35000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!MUN2231T1G (SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Подробнее)onsemi14820
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!MUN2231T1G (yпаковка: SOT23; год: 22+)ON55000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!MUN2231T1G (yпаковка: SOT23/SC59; год: 22+)ON45000
Icseek Global LimitedMUN2231T1G (Оригинальный и наличный и новый)ON4600
ООО "Интегральные схемы"MUN2231T1Gот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"MUN2231T1Gот 7 дней
Yee Hing Technology Co., LimitСвежие данные!MUN2231T1G2480