Характеристики

NE3514S02-T1D-A — HJ-FET NCH 10DB S02

Производитель: NEC  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: HFET  •  Частота: 20GHz  •  Усиление: 10dB  •  Номинальное напряжение: 4V  •  Номинал тока: 70mA  •  Коэффициент шума: 0.75dB  •  Ток - тестовый: 10mA  •  Напряжение - тестовое: 2V  •  Корпус: S02
Архив документации

Поставщики «NE3514S02-T1D-A»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDNE3514S02-T1D-A (SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Подробнее)Rochester Electronics, LLC2.7655$3769
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdNE3514S02-T1D-A (Подробнее)Intersil (Renesas Electronics Corporation)1$35000
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!NE3514S02-T1D-ARenesas Electronics8046
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NE3514S02-T1D-A (yпаковка: 4-SMD,Flat Leads; год: 22+)Rochester55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!NE3514S02-T1D-A (SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Подробнее)Renesas Electronics America Inc129988
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDNE3514S02-T1D-A (год: 07+)NEC4654
ООО "Аркион"Свежие данные!NE3514S02-T1D-A (микросхема интегральная электронная SMD от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: 1006+)NEC18000
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.NE3514S02-T1D-A (22+; год: 76440)NEC
ООО "Интегральные схемы"NE3514S02-T1D-Aот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"NE3514S02-T1D-Aот 7 дней
Icseek Global LimitedNE3514S02-T1D-A (Оригинальный и наличный и новый)RENESAS6482