Характеристики
NE3514S02-T1D-A
— HJ-FET NCH 10DB S02
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: NEC
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: HFET
•
Частота: 20GHz
•
Усиление: 10dB
•
Номинальное напряжение: 4V
•
Номинал тока: 70mA
•
Коэффициент шума: 0.75dB
•
Ток - тестовый: 10mA
•
Напряжение - тестовое: 2V
•
Корпус: S02
Архив документации
PG10593EJ01V0DS.pdf
на сайте necel.com
Поставщики «NE3514S02-T1D-A»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
NE3514S02-T1D-A
(SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Подробнее
)
Rochester Electronics, LLC
2.7655$
3769
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
NE3514S02-T1D-A
(
Подробнее
)
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
1$
35000
ООО "ЕК-Компонент"
NE3514S02-T1D-A
Renesas Electronics
–
8046
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
NE3514S02-T1D-A
(yпаковка: 4-SMD,Flat Leads; год: 22+)
Rochester
–
55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
NE3514S02-T1D-A
(SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Подробнее
)
Renesas Electronics America Inc
–
129988
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
NE3514S02-T1D-A
(год: 07+)
NEC
–
4654
ООО "Аркион"
NE3514S02-T1D-A
(микросхема интегральная электронная SMD от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: 1006+)
NEC
–
18000
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
NE3514S02-T1D-A
(22+; год: 76440)
NEC
–
–
ООО "Интегральные схемы"
NE3514S02-T1D-A
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
NE3514S02-T1D-A
–
–
от 7 дней
Icseek Global Limited
NE3514S02-T1D-A
(Оригинальный и наличный и новый)
RENESAS
–
6482