Характеристики

NJVBDX53C — TRANS DARL NPN 8A 100V TO-220AB

Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A  •  Ток коллектора (макс): 8A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V  •  Мощность макcимальная: 65Вт  •  Тип транзистора: NPN - Darlington  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Поставщики «NJVBDX53C»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NJVBDX53C (yпаковка: TO-220; год: 22+)ON–55000
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdNJVBDX53C (Подробнее)onsemi–35000
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!NJVBDX53C (микросхема интегральная электронная TRANS DARL NPN 8A 100V TO-220AB 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor–32039
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!NJVBDX53C (TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB Подробнее)onsemi–9803
Icseek Global LimitedNJVBDX53C (Оригинальный и наличный и новый)ON–1513
ООО "АСПЕКТ"NJVBDX53C––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"NJVBDX53C––от 7 дней