Характеристики

NTB18N06G — MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Снят с производства - 09 jan 2008  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 7.5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 48.4W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Архив документации

Поставщики «NTB18N06G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
NTB18N06G (Подробнее)onsemi0.47$35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
NTB18N06G (Оригинальный и наличный и новый)ON–8660
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
NTB18N06G (yпаковка: TO263; год: 22+)ON–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
NTB18N06G (MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Подробнее)onsemi–135891
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
NTB18N06G (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor–38665
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
NTB18N06G––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
NTB18N06G––от 7 дней