Характеристики

NTB5405NG — MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 40A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 40V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 88nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 32V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 150W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Архив документации

Поставщики «NTB5405NG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!NTB5405NG (MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK Подробнее)onsemi161383
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!NTB5405NG (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor38894
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdNTB5405NG (Подробнее)onsemi35000
Icseek Global LimitedNTB5405NG (Оригинальный и наличный и новый)ON8722
ООО "Интегральные схемы"NTB5405NGот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"NTB5405NGот 7 дней
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!NTB5405NGVBsemi1091
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NTB5405NG (yпаковка: TO263; год: 22+)ON45000