Характеристики

NTD3817N-1G — MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 16V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 702pF @ 12V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.2W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Архив документации

Поставщики «NTD3817N-1G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NTD3817N-1G (yпаковка: TO251; год: 22+)ON45000
Icseek Global LimitedNTD3817N-1G (Оригинальный и наличный и новый)ON9052
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdNTD3817N-1G (Подробнее)onsemi0.18$35000
ООО "АСПЕКТ"NTD3817N-1Gот 7 дней
ООО "Интегральные схемы"NTD3817N-1Gот 7 дней
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!NTD3817N-1G (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor38999
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!NTD3817N-1G (MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK Подробнее)onsemi134675