Характеристики

NTD4808N-1G — MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.8A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1538pF @ 12V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.3W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Архив документации

Поставщики «NTD4808N-1G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы"NTD4808N-1Gот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"NTD4808N-1Gот 7 дней
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NTD4808N-1G (yпаковка: TO251; год: 22+)ON45000
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.NTD4808N-1G (22+; год: 1010)ON251$
Icseek Global LimitedNTD4808N-1G (Оригинальный и наличный и новый)ON9100
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!NTD4808N-1G (MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK Подробнее)onsemi132925
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdNTD4808N-1G (Подробнее)onsemi35000
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!NTD4808N-1G (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor32868
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!NTD4808N-1G (MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK Подробнее)ON Semiconductor29.8538$7387