Характеристики

NTD4856N-1G — MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 25V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.3A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2241pF @ 12V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.33W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Архив документации

Поставщики «NTD4856N-1G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
NTD4856N-1G (Подробнее)onsemi0.29$35000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
NTD4856N-1G (MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK Подробнее)ON Semiconductor2.5356$66702
NTD4856N-1G (N-CHANNEL POWER MOSFET Подробнее)Rochester Electronics, LLC2.5356$66743
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
NTD4856N-1G (Оригинальный и наличный и новый)ON–9163
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
NTD4856N-1G (yпаковка: TO251; год: 22+)ON–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
NTD4856N-1G (MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK Подробнее)onsemi–135237
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
NTD4856N-1G (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor–38927
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
NTD4856N-1G––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
NTD4856N-1G––от 7 дней