Характеристики

NTGS1135PT1G — MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.6A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 8V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 6V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 970mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 6-TSOP
Архив документации

Поставщики «NTGS1135PT1G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
NTGS1135PT1G (Подробнее)onsemi0.27$35000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
NTGS1135PT1G (SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET Подробнее)Rochester Electronics, LLC2.3769$34964
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
NTGS1135PT1G (Оригинальный и наличный и новый)ON–9563
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
NTGS1135PT1GVBsemi–1825
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
NTGS1135PT1G (MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP Подробнее)onsemi–135101
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
NTGS1135PT1G (микросхема интегральная электронная MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor–39046
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
NTGS1135PT1G––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
NTGS1135PT1G––от 7 дней