Характеристики

NTHD3133PFT3G — MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 10V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Diode (Isolated)  •  Power - Max: 1.1W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-ChipFET™
Архив документации

Поставщики «NTHD3133PFT3G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
NTHD3133PFT3G (Подробнее)onsemi35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
NTHD3133PFT3G (Оригинальный и наличный и новый)ON9638
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
NTHD3133PFT3G (MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET Подробнее)onsemi161392
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
NTHD3133PFT3G (микросхема интегральная электронная MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor38947
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
NTHD3133PFT3Gот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
NTHD3133PFT3Gот 7 дней