Характеристики

NTLJS4149PTAG — MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @ 15V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 700mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 6-WDFN
Архив документации

Поставщики «NTLJS4149PTAG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdNTLJS4149PTAG (Подробнее)onsemi0.3$35000
ООО "Интегральные схемы"NTLJS4149PTAG––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"NTLJS4149PTAG––от 7 дней
Icseek Global LimitedNTLJS4149PTAG (Оригинальный и наличный и новый)ON–9848
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!NTLJS4149PTAG (MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN Подробнее)onsemi–135264
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!NTLJS4149PTAG (микросхема интегральная электронная MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor–38955