Характеристики

NTMS4101PR2 — MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC

Производитель: ON Semiconductor  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3200pF @ 10V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.38W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)  •  Встречается под наим.: NTMS4101PR2OS
Архив документации

Поставщики «NTMS4101PR2»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
NTMS4101PR2 (Подробнее)onsemi–35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
NTMS4101PR2 (Оригинальный и наличный и новый)ON–10366
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
NTMS4101PR2 (yпаковка: SOP8; год: 22+)ON–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
NTMS4101PR2 (MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC Подробнее)onsemi–158652
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
NTMS4101PR2 (микросхема интегральная электронная MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor–38382
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
NTMS4101PR2––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
NTMS4101PR2––от 7 дней