Характеристики

NTMSD6N303R2SG — MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: FETKY™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 24V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Diode (Isolated)  •  Power - Max: 2W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)
Архив документации

Поставщики «NTMSD6N303R2SG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
NTMSD6N303R2SG (Подробнее)onsemi–35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
NTMSD6N303R2SG (Оригинальный и наличный и новый)ON–10446
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
NTMSD6N303R2SG (yпаковка: SOP-8; год: 22+)ON/–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
NTMSD6N303R2SG (MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC Подробнее)onsemi–160743
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
NTMSD6N303R2SG (год: 06+)ON–5000
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
NTMSD6N303R2SG (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor–38838
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
NTMSD6N303R2SG (22+; год: 16000)ON8$–
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
NTMSD6N303R2SG––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
NTMSD6N303R2SG––от 7 дней