Характеристики

PD85025STR-E — TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 870MHz  •  Усиление: 17.3dB  •  Номинальное напряжение: 40В  •  Номинал тока: 7A  •  Ток - тестовый: 300mA  •  Напряжение - тестовое: 13.6V  •  P1dB: 10Вт  •  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Архив документации

Поставщики «PD85025STR-E»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global LimitedPD85025STR-E (Оригинальный и наличный и новый)STM–5200
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!PD85025STR-E (микросхема интегральная электронная TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–13396
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdPD85025STR-E (Подробнее)STMicroelectronics–35000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!PD85025STR-E (yпаковка: SO-10RF(2StraightLeads); год: 22+)ST–55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!PD85025STR-E (TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Подробнее)STMicroelectronics–131252
ООО "Интегральные схемы"PD85025STR-E––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"PD85025STR-E––от 7 дней