Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 100K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA  •  Ток коллектора (макс): 20mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  •  Мощность макcимальная: 500мВт  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  •  Встречается под наим.: PDTA115ES AMO, PDTA115ES AMO-ND