Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/nxp/188.gif) Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 100K • Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA • Ток коллектора (макс): 20mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA • Мощность макcимальная: 500мВт • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 • Встречается под наим.: PDTA115ES AMO, PDTA115ES AMO-ND |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
Поставщики «PDTA115ES126» | |
|