Характеристики | Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 47K • Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA • Мощность макcимальная: 150mW • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3) • Встречается под наим.: PDTA144VE T/R, PDTA144VE T/R-ND |
Архив документации | |
Поставщики «PDTA144VE,115» | |
|