Характеристики

PDTC144EM,315 — TRANS NPN 50V 100MA SOT883

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 47K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  •  Мощность макcимальная: 250mW  •  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-101, SOT-883  •  Встречается под наим.: PDTC144EM T/R, PDTC144EM T/R-ND
Архив документации

Поставщики «PDTC144EM,315»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
PDTC144EM,315 (Подробнее)Nexperia–35000
PDTC144EM,315 (Подробнее)Nexperia0.0396$35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
PDTC144EM315 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–5200
PDTC144EM,315 (Оригинальный и наличный и новый)NEXPERIA–5200
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
PDTC144EM,315 (0.1A, 50V, NPN Подробнее)Philips–15547
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
PDTC144EM,315 (микросхема интегральная электронная TRANS NPN 50V 100MA SOT883 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors–33896
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
PDTC144EM,315––от 7 дней
PDTC144EM,315MOQ,PQ-10K––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
PDTC144EM,315––от 7 дней
PDTC144EM,315MOQ,PQ-10K––от 7 дней