Характеристики

PHB191NQ06LT,118 — MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 55V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95.6nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7665pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: 568-2188-2, PHB191NQ06LT /T3
Архив документации

Поставщики «PHB191NQ06LT118»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
PHB191NQ06LT,118 (Подробнее)Nexperia3.2$35000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
PHB191NQ06LT,118 (MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Подробнее)Nexperia USA Inc.2.619$2874
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
PHB191NQ06LT118 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–5965
PHB191NQ06LT,118 (Оригинальный и наличный и новый)NEXPERIA–5964
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
PHB191NQ06LT,118 (MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Подробнее)Nexperia USA Inc.–140019
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
PHB191NQ06LT,118 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors–23632
Chipbom Electronics Limited,
(0755) 82533341, sales@chipbom.com
PHB191NQ06LT,118 (StockNew and Original; yпаковка: SOT404; год: 23+)NEXPERIA–10000