| Характеристики |   Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества:  RoHS  Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA • Ток коллектора (макс): 300mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 5V • Мощность макcимальная: 250mW • Модуляция частот: 300MHz • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 • Встречается под наим.: PMBT5401 T/R, PMBT5401 T/R-ND |
| Архив документации | |
Поставщики «PMBT5401,215» | |
| Наименование | Производитель | Цена | Склад | | Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd | PMBT5401,215 (Подробнее) | NXP Semiconductors | – | 35000 | ООО "АН-ЧИП" | PMBT5401,215 (микросхема интегральная электронная TRANS PNP 150V 300MA SOT23 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | NXP Semiconductors | – | 30582 | | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic | PMBT5401,215 (TRANS PNP 150V 0.3A SOT23 Подробнее) | NXP USA Inc. | – | 13620 | | Icseek Global Limited | PMBT5401,215 (Оригинальный и наличный и новый) | NEXPERIA | – | 9979 | | Дельта Электроника | PMBT5401.215 | – | 6.16 р. | 6-8 недель | | Дельта Электроника | PMBT5401,215, PNP транзистор 300мА 150В SOT-23-3 | – | 6.16 р. | 6-8 недель | | ООО "Интегральные схемы" | PMBT5401,215 | – | – | от 7 дней | | ООО "АСПЕКТ" | PMBT5401,215 | – | – | от 7 дней |
|