Характеристики | Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA • Ток коллектора (макс): 300mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 5V • Мощность макcимальная: 250mW • Модуляция частот: 300MHz • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 • Встречается под наим.: PMBT5401 /T3, PMBT5401 /T3-ND |