Характеристики

PMN23UN,165 — MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 2A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.75W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SC-74-6  •  Встречается под наим.: PMN23UN /T2, PMN23UN /T2-ND
Архив документации

Поставщики «PMN23UN,165»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
PMN23UN,165 (Подробнее)NXP Semiconductors35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
PMN23UN,165 (Оригинальный и наличный и новый)NXP611
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
PMN23UN,165 (MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP Подробнее)NXP USA Inc.156910
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
PMN23UN,165 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors25149
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
PMN23UN,165от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
PMN23UN,165от 7 дней