Характеристики
PTFA080551E V1
— IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Infineon Technologies
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: LDMOS
•
Частота: 960MHz
•
Усиление: 18.5dB
•
Номинальное напряжение: 65V
•
Номинал тока: 10µA
•
Ток - тестовый: 600mA
•
Напряжение - тестовое: 28V
•
P1dB: 55Вт
•
Встречается под наим.: SP000224767
Архив документации
ptfa080551ef_v4_ds_r03.pdf
на сайте infineon.com
Поставщики «PTFA080551E V1»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Icseek Global Limited
PTFA080551E V1
(Оригинальный и наличный и новый)
INFINEON
–
10873
ООО "АН-ЧИП"
PTFA080551E V1
(микросхема интегральная электронная IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Infineon Technologies (IR)
–
14921
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
PTFA080551E V1
(IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
128920
ООО "Интегральные схемы"
PTFA080551E V1
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
PTFA080551E V1
–
–
от 7 дней