Характеристики
PTFA091201GL V1 R250
— IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Infineon Technologies
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: LDMOS
•
Частота: 960MHz
•
Усиление: 18.5dB
•
Номинальное напряжение: 65V
•
Номинал тока: 10µA
•
Ток - тестовый: 750mA
•
Напряжение - тестовое: 28V
•
P1dB: 110Вт
•
Встречается под наим.: SP000465360
Архив документации
ptfa091201ghl-v1_ds_r02.pdf
на сайте infineon.com
Поставщики «PTFA091201GL V1 R250»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Icseek Global Limited
PTFA091201GL V1 R250
(Оригинальный и наличный и новый)
INFINEON
–
10903
ООО "АН-ЧИП"
PTFA091201GL V1 R250
(микросхема интегральная электронная IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Infineon Technologies (IR)
–
14928
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
PTFA091201GL V1 R250
(IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
131661
ООО "Интегральные схемы"
PTFA091201GL V1 R250
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
PTFA091201GL V1 R250
–
–
от 7 дней