Характеристики

PTFA181001F V4 — IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 1.85GHz  •  Усиление: 16.5dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 10µA  •  Ток - тестовый: 750mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 100Вт  •  Встречается под наим.: SP000376067
Архив документации

Поставщики «PTFA181001F V4»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
PTFA181001FV4XWSA1 (IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Подробнее)Infineon Technologies–128519
PTFA181001FV4R250FTMA1 (IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Подробнее)Infineon Technologies–130091
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
PTFA181001F V4 (микросхема интегральная электронная IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–14237
PTFA181001F V4 R250 (микросхема интегральная электронная IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–14937
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
PTFA181001F V4––от 7 дней
PTFA181001F V4 R250––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
PTFA181001F V4––от 7 дней
PTFA181001F V4 R250––от 7 дней