Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

PTFA191001E V4 R250 — IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 1.96GHz  •  Усиление: 17dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 10µA  •  Ток - тестовый: 900mA  •  Напряжение - тестовое: 30В  •  P1dB: 44dBm  •  Встречается под наим.: SP000393320
Архив документации

   


Производители
    Версия для печати
    Страница с результатами, оптимизированная для печати.
    Бросить клич!
    Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

    Поставщики «PTFA191001E V4 R250»

    ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
    Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!PTFA191001EV4R250XTMA1
    IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Подробнее    		Infineon Technologies 129627
    ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!PTFA191001E V4 R250
    микросхема интегральная электронная IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21    		Infineon Technologies (IR) 14943
    ООО "Интегральные схемы"PTFA191001E V4 R250 от 7 дней
    ООО "АСПЕКТ"PTFA191001E V4 R250 от 7 дней


    Контактная информация

    КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
    Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicHong Kong(86) 135123388010  0 Скрыть
    SHENZHEN(86) 0755-82535750
    ООО "АН-ЧИП"Санкт-Петербург(812) 922-25-390  0 Скрыть
    ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
    ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
    «PTFA191001E V4 R250» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
    Поставщиков: 2172 отечественных и 776 зарубежных
    		 Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
    Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
    		 Распечатать