Характеристики

PTFA192001E V4 R250 — IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 1.99GHz  •  Усиление: 15.9dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 10µA  •  Ток - тестовый: 1.8A  •  Напряжение - тестовое: 30В  •  P1dB: 50Вт  •  Встречается под наим.: SP000393367
Архив документации

Поставщики «PTFA192001E V4 R250»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АСПЕКТ"PTFA192001E V4 R250––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"PTFA192001E V4 R250––от 7 дней
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!PTFA192001E V4 R250 (микросхема интегральная электронная IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–14248
Icseek Global LimitedPTFA192001EV4R250XTMA1 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–10945
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!PTFA192001EV4R250XTMA1 (FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 Подробнее)Infineon Technologies–130358